電磁加熱來源于法拉第發(fā)現的電磁電磁現象，也就是交變的電流會在導體中產生電磁電流，從而招致導體發(fā)熱。1890年瑞典技術人員創(chuàng)造了一臺電磁熔煉爐 ——開槽式有芯爐， 1916年美國人創(chuàng)造了閉槽有芯爐，從此電磁加熱技術逐步進入適用化階段。 20世紀電力電子器件和技術的飛速開展，極大地促進了電磁加熱技術的開展。

 

　　1957年，美國研制出作為電力電子器件里程碑的晶閘管，標志著現代電力電子技術的開端，也引發(fā)了電磁加熱技術的反動。1966年，瑞士和西德首先應用晶閘管研制電磁加熱安裝，從此電磁加熱技術開端飛速開展。

 

　　20世紀80年代后，電力電子器件再次快速開展，GTO、MOSFET、IGBT、M CT及 SIT等器件相繼呈現。電磁加熱安裝也逐步摒棄晶閘管，開端采用這些新器件。如今比擬常用的是IGBT和MOSFET， IGBT用于較大功率場所，而MOSFET用于較高頻率場所。據報道，國外能夠采用IGBT將電磁加熱安裝做到功率超越1000kW ，頻率超越50kHz。而MOSFET較適用高頻場所，通常應用在幾千瓦的中小功率場所，頻率可到達500kHz以上，以至幾兆赫茲。但是國外也有推出采用 MOSFET的大功率的電磁加熱安裝，比方美國研制的2000kW /400kHz的安裝。

 

　　我國電磁熱處置技術的真正應用始于1956年，從前蘇聯引入，主要應用在汽車工業(yè)。隨著 20世紀電源設備的制造，電磁淬火工藝配備也緊隨其后得到開展。如今國內電磁淬火工藝配備制造業(yè)也日益擴展，產品種類多，原來需求進口的配備，逐漸被國產品所取代，在儉省外匯的同時，開展了國內的相關企業(yè)。目前電磁加熱制造業(yè)的效勞對象主要是汽車制造業(yè)，今后現代冶金工業(yè)將對電磁加熱有較大需求。