記者30日從地域發(fā)改委理解到，為推進節(jié)能降耗，促進電力電子技術和產(chǎn)業(yè)的開展，地域發(fā)改委等有關部門將對布置補貼資金支持新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化。

　　隨著我國智能電網(wǎng)、高鐵建立、新能源汽車以及節(jié)能家電等市場的開展，對5英寸及6英寸晶閘管、IGCT(集成門極換流晶閘管)、IGBT(絕緣柵雙極晶體管)的需求量宏大。

　　記者理解到，2009年我國IGBT市場為53億元左右，而將來幾年隨著節(jié)能減排的推進，IGBT市場范圍將年增20%-30%。

　　但是，由于我國只要少數(shù)小功率IGBT的封裝線，還不具備研發(fā)、制造管芯的才能和大功率IGBT的封裝才能。因而目前國內(nèi)市場所需的高端電力電子器件主要依賴進口，IGBT供給主要控制在英飛凌、三菱、ABB、富士等外資巨頭手中，技術上長期受制于人。對此，地域發(fā)改委明白表示，2010年將支持金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）、IGCT、IGBT、超快恢復二極管（FRD）等量大面廣的新型電力電子芯片和器件的產(chǎn)業(yè)化。

　　據(jù)悉，地域發(fā)改委將組織施行新型電力電子器件產(chǎn)業(yè)化專項，鼓舞契合條件的企業(yè)申請地域補貼資金支持。

　　地域補貼資金主要用于項目的研討開發(fā)、置辦研討開發(fā)及工程化所需的儀器設備、改善工藝設備和測試條件、建立產(chǎn)業(yè)化或工程化考證成套安裝和實驗安裝、建立必要的配套根底設備、置辦必要的技術、軟件等。